SK하이닉스는 25일 이사회를 개최하고 용인 반도체 클러스터 1기 팹 페이즈 2~6를 건설하는 데 21조6081억원을 신규 투자하기로 했다고 공시했다.
투자규모는 자기자본 대비 29.23%로, 투자기간은 다음달 1일부터 2030년 12월31일까지다.
SK하이닉스는 이번 투자 목적에 대해 "빠르게 증가하는 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적인 공급 체계를 한층 강화하기 위한 전략적 결정"이라고 설명했다. 이 회사는 이어 "AI, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 첨단 산업의 확산으로 고성능·고집적 반도체에 대한 수요는 구조적으로 확대되고 있다"면서 "SK하이닉스는 생산 역량을 조기에 확충하고, 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 제품을 공급할 수 있는 기반을 마련할 것"이라고 부연했다.
앞서 SK하이닉스는 2024년 7월엔 페이즈 1 건설 등에 9조4000억원을 투자하기로 결정한 바 있다.
구체적으로 이번 투자는 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고 페이즈 2부터 페이즈 6에 이르는 전체 클린룸을 구축하는 데 쓰인다. 이에 따라 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 이를 통해 물리적 생산 기반을 선제적으로 확보해 고객 대응 역량을 강화할 수 있을 것으로 회사 측은 보고 있다.
SK하이닉스는 클린룸 오픈 시점이 내년 5월에서 같은 해 2월로 앞당겨질 거라고 전망했다. SK하이닉스 관계자는 "조기 가동 준비 상황에 맞춰 실질적인 운영 체계를 적기에 구축함으로써, 미래 수요에 민첩하게 대응할 수 있도록 만전을 기하겠다"면서 "대규모 투자 기반의 지속적인 생산 역량 확대로 고객과의 신뢰를 높이고 글로벌 반도체 시장 주도권을 공고히 해나갈 계획"이라고 밝혔다.
한편 이날 SK하이닉스는 다음달 25일 정기주주총회를 열고 차선용 미래기술연구원장(사장)을 사내이사로 선임한다고 공시했다. 차 사장은 2014년부터 1년간 SK하이닉스 소자기술 D팀 팀장(상무), 2015년부터 2017년까지 SK하이닉스 Alius Core TF 담당, 이후 2020년까지 SK하이닉스 DRAM TD 담당을 역임했다. 2022년부터 현재까지 SK하이닉스 미래기술연구원 원장(사장)을 맡고 있다.
SK하이닉스 이사회는 이에 대해 "차 원장은 SK하이닉스 장기 기술 전략을 구현하는 미래기술연구원장으로 차세대 메모리 기술 혁신과 미래 성장동력 확보를 이끌어 온 반도체 기술 리더"라면서 "글로벌 반도체 산업의 기술 패러다임 변화 속에서 선제적 기술 투자와 연구개발 체계 고도화를 주도해 왔으며, 기술 기반의 리스크 관리 및 전략적 의사결정 역량을 보유하고 있는 인물"이라고 설명했다.
오현승 기자 hsoh@segye.com
