김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당(사장)은 이달 말부터 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이라고 4일 밝혔다. 또한 6세대인 HBM4를 적기 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중이며 대만 TSMC와의 협업을 통해 최고의 성능을 발휘할 것이라고 강조했다.
김 사장은 이날 대만에서 개막한 글로벌 반도체 산업 전시회 ‘세미콘 타이완 2024’에서 ‘AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다’를 주제로 진행한 기조연설을 통해 이 같이 말했다.
그는 “AI가 발전해 인공일반지능(AGI) 수준에 다다르기 위해서는 전력과 방열, 메모리 대역폭과 관련된 난제들을 해결해야 한다”며 가장 큰 문제 중 하나로 전력을 꼽았다. 2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 2배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다는 것이다.
김 사장은 “데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼 AI 기술의 지속 발전을 위해서는 열 문제를 해결하기 위한 효과적인 방안을 찾아야 한다”며 “SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다”고 소개했다.
AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요 증가로 메모리 대역폭 향상에 대한 수요가 높아지고 있다는 점도 언급했다.
김 사장은 “SK하이닉스는 HBM 5세대인 HBM3E를 비롯해 실리콘관통전극(TSV) 기술 기반 서버용 256GB DIMM, QLC 기반 고용량 eSSD, LPDDR5T 등을 시장에 공급하고 있다”며 “올해 초 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 엔비디아에 공급하기 시작한 데 이어 이번 달 말부터는 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획”이라고 말했다.
그는 “미래를 위한 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다”며 “(6세대인) HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중”이라고 설명했다.
이어 “베이스 다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이며 최고의 성능을 발휘하게 될 것”이라며 “LPCAMM, CXL, 512GB 고용량 DIMM 등 차세대 메모리 제품도 착실히 준비하고 있다”고 강조했다.
낸드 분야에서도 최첨단 제품을 지속해서 개발하고 있다고 김 사장은 전했다.
김 사장은 “제품, 기술 개발을 위한 연구개발(R&D) 투자뿐만 아니라 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정”이라며 “부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축하고 이를 기반으로 글로벌 여러 파트너와 긴밀한 협력을 나누게 될 것”이라고 말했다.
이어 “2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획”이라며 “이는 주요 고객, 파트너들과의 협력을 강화하는 데 도움이 될 것”이라고 부연했다.
SK그룹은 AI 분야에서 글로벌 리더가 되기 위해 주요 AI 사업을 강화하는 데 집중하고 있다.
김 사장은 “SK그룹은 AI 분야에서 글로벌 리더가 되기 위해 주요 AI 사업을 강화하는데 집중하고 있다”며 “반도체를 중심으로, 전력, 소프트웨어, 유리 기판과 액침 냉각 등 서로 상승 효과를 만들 수 있는 AI 인프라 구축에 나섰으며, AI 기술을 발전시키기 위해 파트너들과 협력할 계획”이라고 말했다.
이화연 기자 hylee@segye.com
