SK하이닉스가 독자적인 패키징 기술을 통해 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장을 선도하겠다는 포부를 전했다. 6세대 HBM4와 7세대 HBM4E의 시장 안착을 위해 고객 요구에 맞춘 커스텀 전략을 펼칠 예정이다.
3일 SK하이닉스에 따르면 이강욱 패키징 개발 담당 부사장은 이날 대만 타이베이에서 열린 ‘세미콘 타이완’에서 ‘AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술’을 주제로 세션 발표를 진행했다.
현존 최고 사양의 D램인 HBM은 메모리 성능에서 오는 시스템 병목 현상을 극복하는 것은 물론, AI 시스템의 훈련, 추련에 최적화된 제품이다. AI 서버와 고성능 컴퓨팅용 메모리로 광범위하게 채택되고 있다. 응용제품에 따라 다르지만 HBM 세대가 발전하면서 훈련, 추론 AI 서버에 탑재되는 평균 채택 숫자도 더 늘어날 것으로 전망되고 있다.
이 부사장은 “HBM4는 12단, 16단으로 공급되며 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리속도는 초당 1.65TB(테라바이트) 이상으로 성능이 발전할 것”이라며 “HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용해 성능 및 에너지 효율 향상을 기대한다”고 밝혔다. 베이스 다이는 HBM의 받침대 역할을 하는 핵심 부품으로 HBM을 콘트롤 한다.
내년 하반기 HBM4 12단 제품을 출시할 예정이라고도 밝혔다. 독자 개발한 패키징 기술로 에너지 효율과 열 방출을 통해 경쟁력을 끌어올리겠다는 전략이다.
그는 “HBM4 12단 제품에 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 양산할 계획”이라며 “16단 제품을 위해서는 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두 준비 중이고, 고객 니즈에 맞는 최적의 방식을 선택할 것”이라고 말했다.
어드밴스드 MR-MUF는 다수의 반도체 칩을 쌓을 때 이를 한번에 포장하는 기술이다. 낮은 본딩(칩 접합) 압력/온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 타 공정 대비 유리하다. 하이브리드 본딩은 HBM 두께를 줄이면서 속도를 빠르게 하는 기술이다. 최근 SK하이닉스는 16단 제품에 대한 어드밴스드 MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인한 바 있다.
이 부사장은 “현재 2.5D 및 3D SiP 패키징 등 다양한 방안을 검토 중”이라며 “HBM4부터는 고객 맞춤형 성격이 강해지는 만큼 생태계 구축을 위해 글로벌 파트너들과의 협력도 강화하고 있다”고 전했다.
신정원 기자 garden1@segye.com
